自1831年法拉第发现以来，从1831年到今天，作为感应加热技术的一个重要理论基础，人类在20世纪30年代开始利用感应加热这一技术，至今仅有80年的历史。20世纪50年代前的20年间，感应加热技术发展缓慢，产品技术水平不高，主要有工频感应加热炉、电磁倍频器、中频发电机和电子管高频振荡器加热装置。缺少培养式感应加热生长的基础——电力电子技术和半导体功率器件。

电力半导体功率器件的发展离不开感应加热电源的技术进步，因此，20世纪50年代出现了晶闸管(SCR)，为感应加热电源的发展带来了生机，其结构面貌焕然一新，出现了高压大功率变频器感应加热电源，热电流频率由工频扩展至中频。60年代研制出出门极关断晶闸管(GTO)，使感应加热电源再次发生变化，可用外控信号关闭，避免晶闸管需要结构复杂的强制换流电路，提高了变频器电源的可靠性。

假如晶闸管(SCR、GTO)的出现引起了感应加热电源的革命性变化，那么20世纪70年代，场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的诞生，使得感应加热电源的发展如虎添翼，加热的电流频率达到了MHz级，感应加热电源趋于模块化和标准化。