将整个工作区域与宽大的安全工作区等分开。根据器件的封装，分为单管和模块两种。根据设备参数，分为不同等级的电流电压规范。

IGBT是一种基于电导调的MOSFET的新型半导体复合器件。

或者MOS驱动双极型晶体管。它集单极器件和多极器件的优点于一身，尤其适用于感应加热电源。根据IGBT的应用特征，IGBT有以下特点：

(1)全控装置，电压驱动，操作简单；

(2)输出阻压高，载流密度大，通态压低，适于高电压、大功率应用；

(3)开关的动态性能介于MOS和GTR之间，目前工作频率在100kHz左右；

(4)可以有一个宽广的安全区，而且不会出现二次击穿，但是要避免擎天效应。

(5)IGBT的传输特性，描述了集电极电流Ic和栅压UGE之间的关系，类似于电力MOSFET的传输特性。开压UGE(th)指IGBT可以通过改变其导通电压来实现电导调制。